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氧化物单晶生长炉

可用于“第四代”半导体单晶材料,氧化镓Ga2O3等氧化物材料晶圆的生长制造。

卧式管状加热炉

主要应用在半导体晶体材料的生长工艺过程中,对石英坩埚内壁镀碳处理,能够有效阻隔高温溶体与石英坩埚的反应,有利于完整、高质量单晶体的生产。

VTM碲锌镉单晶体生长炉

碲锌镉单晶炉是依据我公司自主研发的VTM工艺方法所设计的新型单晶工艺设备, 设备由加热系统、运动系统支撑机构、电控系统四部分组成,适用碲锌镉、碲化镉、锑化镓等多种化合物半导材料的单晶生长。
氧化物单晶生长炉
卧式管状加热炉
VTM碲锌镉单晶体生长炉
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